製品特性
タイプ
説明
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
トランジスタ – FET、MOSFET – シングル
メーカー
インフィニオン テクノロジーズ
シリーズ
CoolGaN™
パッケージ
テープ＆リール（TR）
せん断バンド (CT)
Digi-Reel® カスタムリール
商品状態
製造中止
FETタイプ
Nチャンネル
テクノロジー
GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
600V
25°C での電流 – 連続ドレイン (Id)
31A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
異なる Id、Vgs でのオン抵抗 (最大)
-
異なる ID での Vgs(th) (最大)
1.6V @ 2.6mA
Vgs (最大)
-10V
異なる Vds (最大) での入力容量 (Ciss)
380pF @ 400V
FET機能
-
消費電力 (最大)
125W (TC)
動作温度
-55℃～150℃(TJ)
設置タイプ
表面実装タイプ
サプライヤーのデバイス パッケージ
PG-DSO-20-87
パッケージ/エンクロージャ
20-PowerSOIC (0.433インチ、幅11.00mm)
基本品番
IGOT60
メディアとダウンロード
リソースタイプ
リンク
仕様
IGOT60R070D1
GaN選択ガイド
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT 概要
その他の関連文書
アダプタ/充電器におけるGaN
サーバーおよびテレコムにおけるGaN
CoolGaNの実現可能性と認定
なぜCoolGaNなのか
ワイヤレス充電におけるGaN
ビデオファイル
GaN EiceDRIVER™ を搭載した CoolGaN™ 600V e-mode HEMT ハーフブリッジ評価プラットフォーム
CoolGaN™ – 新しい電力パラダイム
CoolGaN™ 600 V を使用した 2500 W フルブリッジ トーテム ポール PFC 評価ボード
HTML仕様
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT 概要
IGOT60R070D1
環境と輸出分類
属性
説明
RoHSステータス
ROHS3仕様に準拠
湿気感受性レベル (MSL)
3 (168時間)
REACHステータス
非REACH製品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
