TPS53659RSBR（新品・オリジナル在庫あり）

製品特性:

環境と輸出分類:

TPS53659 デュアルチャネル (4 フェーズ + 1 フェーズ) または (3 フェーズ + 2 フェーズ) D-CAP+™ 降圧
多相コントローラー
VR13 サーバー メモリ用の NVM および PMBus™ を使用
1 デバイスの概要
1
1.1
特徴
1
• デジタルを含む完全な VR13 サーバー機能セット
入力電力モニター
• プログラム可能なループ補償
• 不揮発性メモリ (NVM) で構成可能
外付け部品数が少ない
• 個々の相電流の校正とレポート
• プログラム可能なダイナミック フェーズ シェディング
光で効率を最適化するための電流しきい値
および重負荷
• アンダーシュート低減のための高速位相追加
(ソ連)
• VR12.0 および VR12.5 の後方互換性
• 5 mV または 10 mV を選択可能な 8 ビット DAC
0.25 V ～ 0.25 V の分解能と出力範囲
デュアルチャンネルで 1.52 V または 0.5 V ～ 2.8125 V
• 高効率のためのドライバーレス構成
周波数切り替え
• TI NextFET™パワーステージと完全互換
高密度ソリューション向け
• 正確で調整可能な電圧ポジショニング
• 閉ループ周波数による周波数選択
コントロール：300kHz～1MHz
• 特許取得済みの AutoBalance™ フェーズ バランシング
• 選択可能な 16 レベルのフェーズごとの電流制限
• テレメトリ用の PMBus™ システム インターフェイス
電圧、電流、電力、温度、およびフォルト
条件
• 動的出力電圧遷移
SVIDまたはPMBusを介してプログラム可能なスルーレート
インターフェース
• 変換電圧範囲: 4.5 V ～ 17 V
• 低静止電流
• 5mm×5mm、40ピン、WQFN PowerPad™
パッケージ
1.2
アプリケーション
•
サーバーとテレコムのVR13メモリパワー
アプリケーション
•
ASIC にはデュアル電源レールが必要
•
高性能プロセッサーパワー
(1)
詳細については、機械、パッケージ、および注文情報を参照してください。
1.3
説明
TPS53659 は、VR13 SVID に完全に準拠したステップダウン コントローラで、デュアル チャネルを備えています。
揮発性メモリ (NVM)、および PMBus™ インターフェイスに対応し、TI NexFET™ パワー ステージと完全に互換性があります。
アンダーシュート削減 (USR) を備えた D-CAP+™ アーキテクチャなどの高度な制御機能により、
トランジェント応答、低出力容量、良好な電流分担が特徴です。デバイスはまた小説を提供します
さまざまな負荷で効率を改善するためのフェーズ インターリーブ戦略と動的フェーズ シェディング。
VCORE スルー レートと電圧ポジショニングの調整可能な制御は、Intel® 機能を完成させます。加えて
デバイスは、電圧、電流、電力、
温度、およびシステムへの障害状態。すべてのプログラム可能なパラメータは、
PMBus インターフェイスであり、外部コンポーネントを最小限に抑えるための新しいデフォルト値として NVM に保存できます。
カウント。
TPS53659 デバイスは、熱的に強化された 40 ピン WQFN パッケージで提供され、定格で動作する場合
–40°C から 125°C まで。