製品特性
タイプ
説明
カテゴリー
ディスクリート半導体製品
トランジスタ – FET、MOSFET – アレイ
メーカー
インフィニオン テクノロジーズ
シリーズ
HEXFET®
パッケージ
テープ＆リール（TR）
せん断バンド (CT)
Digi-Reel® カスタムリール
商品状態
在庫あり
FETタイプ
2 N チャネル (デュアル)
FET機能
論理レベルゲート
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
60V
25°C での電流 – 連続ドレイン (Id)
8A
異なる Id、Vgs でのオン抵抗 (最大)
17.8 ミリオーム @ 8A、10V
異なる ID での Vgs(th) (最大)
4V@50µA
異なる Vgs (最大) でのゲート電荷 (Qg)
36nC @ 10V
異なる Vds (最大) での入力容量 (Ciss)
1330pF @ 30V
パワーマックス
2W
動作温度
-55℃～150℃(TJ)
設置タイプ
表面実装タイプ
パッケージ/エンクロージャ
8-SOIC (0.154インチ、幅3.90mm)
サプライヤーのデバイス パッケージ
8-SO
基本品番
IRF7351
メディアとダウンロード
リソースタイプ
リンク
仕様
IRF7351PBF
その他の関連文書
IR品番体系
製品トレーニング モジュール
高電圧集積回路 (HVIC ゲート ドライバ)
おすすめ商品
データ処理システム
HTML仕様
IRF7351PBF
EDA/CADモデル
Ultra LibrarianによるIRF7351TRPBF
シミュレーションモデル
IRF7351 スパイスモデル
環境と輸出分類
属性
説明
RoHSステータス
ROHS3仕様に準拠
湿気感受性レベル (MSL)
1 (無制限)
REACHステータス
非REACH製品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
