XC6SLX16（純正フルレンジ）

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ノート：
1. すべての電圧はグランドを基準としています。
2. 表 25 のメモリ インターフェイスのインターフェイス パフォーマンスを参照してください。
標準 VCCINT 電圧範囲。標準の VCCINT 電圧範囲は、次の目的で使用されます。
• MCB を使用しないデザイン
• LX4 デバイス
• TQG144 または CPG196 パッケージのデバイス
• -3N スピード グレードのデバイス
3. VCCAUX の推奨最大電圧降下は 10 mV/ms です。
4. コンフィギュレーション中、VCCO_2 が 1.8V の場合、VCCAUX は 2.5V である必要があります。
5. LVDS_25、LVDS_33、BLVDS_25、LVPECL_25、RSDS_25、RSDS_33、PPDS_25、
および PPDS_33 入力の I/O 規格。LVPECL_33 は -1L デバイスではサポートされていません。
6. VCCO が 0V に低下しても、コンフィギュレーション データは保持されます。
7. 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、および 3.3V の VCCO を含みます。
8. PCI システムの場合、トランスミッターとレシーバーには VCCO 用の共通電源が必要です。
9. -1L スピード グレードのデバイスはザイリンクス PCI IP をサポートしません。
10. バンクごとに合計 100 mA を超えないようにしてください。
11. VCCAUX が適用されていない場合、VBATT はバッテリ バックアップ RAM (BBR) AES キーを維持するために必要です。VCCAUX が適用されると、VBATT を
未接続。BBR を使用しない場合は、VCCAUX または GND に接続することをお勧めします。ただし、VBATT は未接続にすることができます。Spartan-6 FPGA データシート: DC およびスイッチ特性
DS162 (v3.1.1) 2015 年 1 月 30 日
www.xilinx.com
製品仕様書
4
表 3: eFUSE プログラミング条件 (1)
記号 説明 Min Typ Max 単位
VFS(2)
外部電圧供給
3.2 3.3 3.4V
IFS
VFS 供給電流
– – 40mA
VCCAUX GND に対する補助電源電圧 3.2 3.3 3.45 V
RFUSE(3) RFUSE ピンから GND への外付け抵抗 1129 1140 1151
Ω
VCCINT
GND に対する内部電源電圧 1.14 1.2 1.26 V
tj
温度範囲
15～85℃
ノート：
1. これらの仕様は、 eFUSE AES キーのプログラミング中に適用されます。プログラミングは JTAG を介してのみサポートされます。AES キーは
次のデバイスでサポートされています: LX75、LX75T、LX100、LX100T、LX150、および LX150T。
2. eFUSE をプログラムする場合、VFS は VCCAUX 以下である必要があります。プログラムしない場合、または eFUSE を使用しない場合、ザイリンクス
VFS を GND に接続することを推奨します。ただし、VFS は GND と 3.45 V の間で構いません。
3. eFUSE AES キーをプログラムするときは、RFUSE 抵抗が必要です。プログラムしない場合、または eFUSE を使用しない場合、ザイリンクス
RFUSE ピンを VCCAUX または GND に接続することをお勧めします。ただし、RFUSE は未接続にすることができます。