製品特性:
| タイプ | 説明 |
| カテゴリー | 集積回路 (IC) 組み込み - FPGA (フィールド プログラマブル ゲート アレイ) |
| メーカー | AMD ザイリンクス |
| シリーズ | Artix-7 |
| パッケージ | トレイ |
| 商品状態 | 在庫あり |
| LAB/CLB 数 | 4075 |
| ロジックエレメント数/ユニット | 52160 |
| 合計 RAM ビット | 2764800 |
| I/O 数 | 106 |
| 電圧 - 給電 | 0.95V～1.05V |
| 設置タイプ | 表面実装タイプ |
| 動作温度 | 0℃～85℃(TJ) |
| パッケージ/エンクロージャ | 238-LFBGA、CSPBGA |
| サプライヤーのデバイス パッケージ | 238-CSBGA (10x10) |
| 基本品番 | XC7A50 |
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環境と輸出分類:
| 属性 | 説明 |
| RoHSステータス | ROHS3仕様に準拠 |
| 湿気感受性レベル (MSL) | 3 (168時間) |
| REACHステータス | 非REACH製品 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
直流特性
Artix‐7 FPGA データシート:
DC および AC スイッチング特性
DS181 (v1.27) 2022 年 2 月 10 日
製品仕様書
表 1: 絶対最大定格(1)
記号 説明 最小 最大 単位
FPGA ロジック
VCCINT
内部電源電圧 –0.5 1.1 V
VCCAUX
補助電源電圧 –0.5 2.0 V
VCCBRAM
ブロック RAM メモリの電源電圧 –0.5 1.1 V
VCCO
HR I/O バンクの出力ドライバ電源電圧 –0.5 3.6 V
VREF
入力基準電圧 –0.5 2.0 V
VIN(2)(3)(4)
I/O 入力電圧 –0.4 VCCO + 0.55 V
VREF および差動 I/O 規格の I/O 入力電圧 (VCCO = 3.3V の場合)
TMDS_33(5)を除く
–0.4 2.625 V
VCCBATT
キー メモリ バッテリ バックアップ電源 –0.5 2.0 V
GTP トランシーバー
VMGTAVCC
GTP トランスミッターおよびレシーバー回路のアナログ電源電圧 –0.5 1.1 V
VMGTAVTT
GTP トランスミッターおよびレシーバー終端回路のアナログ電源電圧 –0.5 1.32 V
VMGTREFCLK
基準クロック絶対入力電圧 –0.5 1.32 V
表 2: 推奨動作条件(1)(2)
記号 説明 Min Typ Max 単位
FPGA ロジック
VCCINT(3)
-3、-2、-2LE (1.0V)、-1、-1Q、-1M デバイスの場合: 内部供給電圧 0.95 1.00 1.05 V
-1LI (0.95V) デバイスの場合: 内部供給電圧 0.92 0.95 0.98 V
-2LE (0.9V) デバイスの場合: 内部供給電圧 0.87 0.90 0.93 V
VCCAUX
補助電源電圧 1.71 1.80 1.89 V
VCCBRAM(3)
-3、-2、-2LE (1.0V)、-2LE (0.9V)、-1、-1Q、-1M デバイスの場合: ブロック RAM 供給
電圧
0.95 1.00 1.05V
-1LI (0.95V) デバイスの場合: ブロック RAM の供給電圧 0.92 0.95 0.98 V
VCCO(4)(5)
HR I/O バンクの供給電圧 1.14 – 3.465 V
ヴィン(6)
I/O 入力電圧 –0.20 – VCCO + 0.20 V
VREF および差動 I/O 規格の I/O 入力電圧 (VCCO = 3.3V の場合)
TMDS_33(7)を除く
–0.20～2.625V
IIN(8)
次の場合、電源が供給されているバンクまたは供給されていないバンクの任意のピンを流れる最大電流
クランプ ダイオードを順方向にバイアスします。
– – 10mA
VCCBATT(9)
バッテリー電圧 1.0～1.89V
GTP トランシーバー
VMGTAVCC(10)
GTP トランスミッタおよびレシーバ回路のアナログ電源電圧 0.97 1.0 1.03 V
VMGTAVTT(10)
GTP トランスミッターおよびレシーバー終端回路のアナログ電源電圧 1.17 1.2 1.23 V
